隨著時間推移III-V族當下半導體設備技術產品的快速的發展壯大與創新發展選擇，對于氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和另一個一系氧化物半導體設備技術的特色分析方法，怎么才能像整流在量測那么樣，不累構建超快的I-V源和在量測選擇？怎么才能順利通過選擇窄電磁和/或低占空比電磁，而不會是整流信息來制止電子元件的自熱邊際效應？怎么才能可以滿足既可以超快端電壓傳輸，又可以同時高流暢度工作電流在量測的選擇訴求？
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