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PMDT功率器件動態參數測試系統

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       PMDT瓦數元電子元件封裝動態數據展示產品性能軟件測試軟件方法系統化都是款專業于MOSFET、IGBT、SiC   MOS等元電子元件封裝的動態數據展示產品性能軟件測試軟件方法,并能健康安全保障更便捷的軟件測試軟件方法瓦數元電子元件封裝的按鈕開關時間延遲和損耗費,評價元電子元件封裝的健康安全保障運作區,對元電子元件封裝和能夠三極管的過壓愛護性采取檢驗,檢測的瓦數零件的雜散電感。      裝置最主要由雙輸入脈沖移動信號的反應器,奪分別率示波器,高電壓功率探測器,高電壓電原、母線電容(電容器)、低雜感母排、一鍵化測試pc軟件或是整套搭配測試工服組成了。裝置添置好幾種測試控制板,可包含啟閉規格測試、柵極帶電粒子測試、虛接測試、雪崩測試等,日均測試可以了完全啟閉基本特征及逆向完全恢復基本特征測試;可實時路況包存測試沒想到及波型弧線,一鍵轉成測試報表。


產品特點

● 高電壓達2000V(最大擴展至8kV)
● 大電流達2000A(可擴展至6000A)
● 低寄生電感設計,<20nH寄生電感
● 安全防護機制,集成防爆、過流/過壓保護
● 全功能測試覆蓋,支持DPT、RBSOA、SCSOA、Qg等參數
● 自動化與智能化,負載電感自動切換
● 溫度范圍廣,可選高溫模塊(常溫~200℃)或熱流儀(-40℃~200℃)

● 兼容多(duo)種封(feng)裝,可根據測試需求定制夾(jia)具


系統組成.png


測試項目

●  開通特性:開通延時時間td(on)、開通上升時間tr、開通時間ton、開通能量損耗E(on)、開通電壓斜率dv/dt、開通電流斜率di/dt、Id vs.t、Vds vs.t、Vgs  vs.t、Ig  vs.t
●  關斷特性:關斷延時時間td(off)、關斷上升時間tf、關斷時間toff、關斷能量損耗E(off)、關斷電壓斜率dv/dt、  關斷電流斜率di/dt、Id vs. t、Vds vs. t、Vgs  vs. t、Ig  vs.t
●  反向恢復特性:反向恢復時間trr、反向恢復電荷Qrr、反向恢復能量Err、最大反向恢復電流Irrm、反向恢復電壓斜率dv/dt、反向恢復電流斜率di/dt、反向恢復電流特性Id vs.t
●  短路特性:短路時間Tsc、短路飽和電流Iscsat、Vce尖峰 VCEmax、短路能量Esc、短路功率Psc    
●  柵極電荷:總柵極電荷Qg、閾值柵極電荷Qgs(th)、柵源電荷Qgs、柵漏電荷Qgd、柵極申荷曲線Vgs  vs.t
●  反(fan)偏安全(quan)工作區(qu):關(guan)(guan)斷電(dian)壓尖峰(feng)(feng)VCE—peak、關(guan)(guan)斷電(dian)流(liu)尖峰(feng)(feng)lc、Vce vs.t、lc vs.t



測試夾具

真對市售上各種封裝業務類型業務類型的工作功率半導體芯片,如IGBT、SiC、MOS等物品,普賽斯出具一套測式工裝夾具解決處理方案怎么寫,能用于T0單管,半橋模組等物品的測式

測試夾具.png



軟件界面

軟件界面.png

產品選型

項目正向電壓負向電壓最大電流脈寬范圍
柵極0~30V-20~0V10A0.1μs~200μs
項目最大電壓最大電流短路電流
漏極/集電極2000V2000A(DPT)12kA
項目雜散電感保護響應時間工作環境溫度
系統功能
<20nH  <2us常溫~40℃


PMDT功率器件動態系統不同規格配置型號參考:

型號規格高壓差分探頭柔性電流探頭
PMDT20032000V/300A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(8個): 速率 100M,測量范圍 30AIc(一個): 資源帶寬 30M,分度值 300A Icsc(3個): 傳輸速率 30M,量限 12kA
PMDT20102000V/1000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X:350V,2000X: 3500VIg(一):帶寬使用 100M,測量范圍 30AIc(3個):傳輸速率 30M,滿量程 1200A Icsc(9個):網絡帶寬 30M,示值 12kA
PMDT20202000V/2000A/12kA(短路)Vds(1個): 帶寬: 500MHz,差分電壓: 200X: 350V,2000X: 3500VIg(2個): 資源帶寬 100M,量限 30AIc(2個): 服務器帶寬 30M,滿量程 3000A Icsc(一個): 資源帶寬 30M,滿量程 12kA



*這些樣式以免更新換代,恕不自行決定告訴。

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