国产精品一区视频-国产午夜亚洲精品午夜鲁丝片-国产免费一区视频观看免费-国产一区二区在线观看视频_PMST功率器件静态参数测试系统_3500V 2000A_车规IGBT测试_IGBT导通电阻测试-武汉普赛斯仪表有限公司-普赛斯仪表国产化高精度数字源表_IGBT测试系统_高电流脉冲电源_高电压源

PMST功率器件靜態參數測試系統

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普賽斯PMST所在公率元元器裝封靜止產品參數值考試設備，集許多自動側量和講解基本功能合二為一，能能精準定位自動側量有差異裝封款式所在公率元元器裝封（MOSFET、BJT、IGBT等）的靜止產品參數值，具有著高電阻和大交流電因素、μΩ級精準度自動側量、nA級交流電自動側量力量等優點和缺點。適用各類高壓模式，下自動側量所在公率元元器裝封結濾波濾波電感器，如投入濾波濾波電感器、所在濾波濾波電感器、單向發送濾波濾波電感器等。普賽斯PMST瓦數元集成電路芯片動態技術參數考試機系統搭配有幾種檢測的機組版塊，版塊化的設計制作考試的方式機靈，也能甚微方便簡潔業主修改或更新檢測的版塊，滿足檢測的瓦數元集成電路芯片一個勁變換的的需求。

產品特點

● 高電(dian)壓達3500V(最大擴展至12kV)

● 大(da)電流達6000A(多模塊并聯(lian))

● nA級漏電流μΩ級導(dao)通電阻(zu)

● 高精(jing)度測量0.1%

● 模塊化配置(zhi)，可添加或升級(ji)測量單元，可帶(dai)來IV、CV、跨導等雄厚系(xi)統的網(wang)絡綜合檢驗

● 測試(shi)效率高，自動切換、一鍵測試(shi)

●  溫度范圍(wei)廣，支持常(chang)溫、高溫測(ce)試

● ; 兼容多(duo)種封裝，根(gen)據測(ce)試需求定制夾具

測試項目

● 二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線

● 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線

● Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES柵極內阻Rg、輸(shu)入(ru)電容Ciss/Cies、輸(shu)出電容Coss/Coes、反向(xiang)傳輸(shu)電容Crss/Cres、跨導gfs、輸(shu)出特(te)性曲線(xian)、轉移特(te)性曲線(xian)、C-V特(te)性曲線(xian)

● 光耦(四(si)端(duan)口以下(xia))：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸(shu)入電(dian)容CT、輸(shu)出電(dian)容CCE、電(dian)流傳輸(shu)比CTR、隔離電(dian)容CIO

系統優勢

1、IGBT等大(da)功率器件由于其功率特(te)點極易產生(sheng)大(da)量(liang)熱量(liang)，施加應力時間長，溫度迅速(su)上升，嚴(yan)重時會(hui)使器件損壞，且不(bu)符合(he)器件工作特(te)性。普賽斯各類高(gao)壓信息模塊(kuai)創立的(de)用時少于5ms，在測試(shi)英文(wen)步驟中就能(neng)夠增多待測物加電用時的(de)發高(gao)燒。

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2、直流(liu)電(dian)下漏(lou)電(dian)流(liu)的測量效(xiao)率(lv)無(wu)可取代，測量包裹率(lv)遠低于(yu)(yu)世界公司(si)。市面上(shang)絕大(da)多數器件的規(gui)格書(shu)顯示，小模(mo)塊在高(gao)溫(wen)測試時漏(lou)電(dian)流(liu)一般大(da)于(yu)(yu)5mA，而車規(gui)級三相半橋(qiao)高(gao)溫(wen)下漏(lou)電(dian)大(da)于(yu)(yu)50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(gui)格書(shu)為例(li)：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，最大(da)40mA。普(pu)賽斯靜態系統高(gao)壓模(mo)塊測試幾(ji)乎可以完美應對所有類型器件的漏(lou)電(dian)流(liu)測試需求(qiu)。

3、與此還，VCE(sat)測試軟件是定性分析 IGBT 導通工作額定電壓的重要運作，對旋鈕工作額定電壓都是一些的會影響。可以動用公路窄激光脈沖造成的電流大小源，激光脈沖造成的上升的沿線速度要足以快時性能減低功率器件起熱，還主設備可以有導入采樣系統額定電壓模塊。

IGBT靜態變量測量系(xi)統大功率接口：50us—500us 的(de)可(ke)調節為(wei)功率脈寬，變高邊沿在(zai) 15us(舉例(li)值)，縮短待測物在(zai)測量的(de)時候中的(de)發(fa)冷，使測量可(ke)是越(yue)來越(yue)精確度。下圖(tu)為(wei) 1000A 波形：

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4、短時(shi)間(jian)利(li)索的客(ke)制化治具(ju)(ju)很(hen)好改進方(fang)案怎么寫(xie)：強(qiang)大的測試夾具(ju)(ju)解(jie)決方(fang)案對于(yu)保(bao)證操作(zuo)人(ren)員(yuan)安(an)全(quan)和支持各種(zhong)功率器件封裝類型極(ji)為重(zhong)要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應(ying)(ying)用戶需求，提供靈活(huo)的客(ke)制化夾具(ju)(ju)方(fang)案。夾具(ju)(ju)具(ju)(ju)有(you)低(di)阻抗、安(an)裝簡單、種(zhong)類豐富等(deng)(deng)特點，可用于(yu)二極(ji)管、三極(ji)管、場(chang)效(xiao)應(ying)(ying)晶(jing)體管、IGBT、SiC MOS、GaN等(deng)(deng)單管，模組類產(chan)品的測試。

產品選型

項目	最大電壓	最大電流	精度	漏電流測試量程
集工業-放出極	3500V	6000A	0.1%	1μA-100mA

項目	最大電壓	最大電流	精度	最小電流量程
柵極-反射極	300V	1A(交流電)/10A(脈沖造成的)	0.1%	10nA

項目	基本測試精度	頻率范圍	電容值范圍
濾波電容測試圖片	0.05%	0.05%	0.01pF-9.9999F

PMST最大功率集成電路芯片動態系統的區別尺寸規格配資規格可以參考：

型號	大電流源測單元規格	大電流源測單元數量	高壓源測單元規格	高壓源測單元數量	最大電壓/電流
PMST1203	300A/30V	1	1200V/100mA	1	1200V/300A
PMST1210	1000A/18V	1	1200V/100mA	1	1200V/1000A
PMST2210	1000A/18V	1	2200V/100mA	1	2200V/1000A
PMST3510	1000A/18V	1	3500V/100mA	1	3500V/1000A
PMST3520	1000A/18V	2	3500V/100mA	1	3500V/2000A
PMST8030	1000A/18V	3	8000V/100mA	1	8000V/3000A