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SPA6100半導體參數分析儀

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        SPA6100半導體器件規格了解儀存在高精密度、寬在測量規模、 更快的靈敏、兼容問題強等競爭優勢,成品就可以的同時可以支持DC電阻-電阻(I-V)、濾波電容-電阻(C-V)并且高流進行高壓下脈沖激光式I-V的特點的檢查。        應用場景模塊電源化的結構類型設計的,需求的幫助顧客會按照測評需求,比較靈活選用校正模快進行升極。產品適配很高1200V額定電壓、100A大電流大小量、1pA小電流大小量區分率的校正,此外檢查測量方法10kHz至1MHz范圍圖內的多頻AC電阻校正。        配用用半導產品參數測式系統,適配互動式清理基本工作或融合檢驗探針臺的智能基本工作,就能夠從量測設為、強制執行、結果介紹到數值工作管理的整一個時,達成有效和可重復用的元器件封裝定性分析;也可與高溫度過低箱、恒溫功能等融洽用,要求高溫度過低測式的需求。

產品特點

●    30μV-1200V,1pA-100A 寬量程(cheng)測試(shi)能力

●     測量精度高(gao),全量程下可達0.03%

●     內置標準器件測試程序,直接調用測試簡便 

●     自動實時參數提取、 數據繪(hui)圖(tu)、分析(xi)函數

●     在CV和(he)IV測量之間快(kuai)速切換而無需(xu)重新布線

●     提(ti)供靈活的(de)夾具(ju)定制方案,兼(jian)容性(xing)強

●     免費提供上位機軟件及SCPI指令(ling)集


采用場景中及軟(ruan)件測試(shi)參數值

1、納米材料:電阻率(lv)、載(zai)流(liu)子(zi)遷移率(lv)、載(zai)流(liu)子(zi)濃(nong)度、霍(huo)爾(er)電壓

2、柔性材料:拉伸/扭轉/彎折、V-t、I-t、R-t、電阻率(lv)、靈敏度

3、IC芯片:O/S、IIH/IIL、VOH/VOL、I/O Pin IV曲線(xian)

4、分立器件:BVDSS/IGSS/IDSS/Vgs(th)/Rdson、Ciss/Coss/Crss、輸出/轉移/CV曲線(xian)等

5、光電探測器:暗(an)電流ID、結(jie)電容Ct、反向擊穿電壓VBR、響應度R

6、鈣鈦礦電池:VOC、ISC、Pmax、Vmax、Imax、FF、η、Rs、Rsh

7、LD/LED/OLED:Iop、Popt、VF、Ith、VR、IR、LIV/IVL曲線(xian)

8、傳感器/憶阻器:V-t、I-t、R-t、直流/脈沖/交流IV測試


廣州特色優勢

1、模塊化配置:可靈活(huo)配置多種測(ce)量單元(yuan),預留升級空間,方便后(hou)期升級

2、圖形化界面:內置常用器件模(mo)板,可直接調(diao)用,并且支(zhi)持(chi)輸出(chu)三(san)種模(mo)式測試報告

3、自動化測試:內嵌低漏電(dian)矩陣開關(guan),可自動(dong)切換測試電(dian)路,實現(xian)一(yi)鍵測試功能(neng)

4、夾具可定制:支持(chi)二極管、三極管、Si及SiC MOS管、IGBT等器(qi)件(jian)

5、多設備聯動:可與探針(zhen)臺(tai)、溫(wen)控模(mo)塊等搭(da)配使用,溫(wen)控范(fan)圍:室溫(wen)~250℃

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加快速度半導體集成電路(lu)芯(xin)片(pian)(pian)材(cai)質、基帶芯(xin)片(pian)(pian)集成電路(lu)芯(xin)片(pian)(pian)設計相應比較好的生(sheng)產工藝(yi)的開(kai)放手機驗證

1、適配交流電、激光脈沖I-V試驗

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2、內嵌技術行列式轉換開關,提高自己考試效應

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3、可與多專用設備三級聯調便用:晶圓級集成ic性自測必須與檢測器臺三級聯調,靠得住性開展會涉及面地溫各類高地溫等的條件

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4、三同中心線纜的提升小瞬時電流自測計算精度

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幾何體化小軟件(jian)操作界面

搭配普賽斯自由開發建設的技術測式小系統,SPA6100可輕松自由滿足半導相關材料,元器的性能參數指標測式。設備內嵌式選用元器模板開發,如電子元器件大家庭中的一員-二極管, 二極管,MOSFET。測式全過程中,可就直接獲取,只需簡略設置測式性能參數指標只能。小系統兼容測式數據報告文件體現,各種的身材曲線圖制圖。測式完了 后,可將數據報告文件各種的身材曲線圖拷貝留存。

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靈(ling)活性高可私人訂制(zhi)化的沖壓模(mo)具工作方案

針對性世表面有所差異肖特基二極管封裝款式的半導體電子器件器材設備,普賽斯打造成套車床治具完成應對。車床治具具有著低抗阻、施工簡單的、用途多樣化等結構特征,可 使用肖特基二極管、納米線管、場作用納米線管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管,模組類設備的檢測;也可與檢驗探針臺接觸,實現了晶圓級電子器件 檢測。


各種不同打包封裝類(lei)的卡(ka)具

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產品選型

舒張壓(ya)(ya)直流變壓(ya)(ya)器I-V源在測量(liang)單(dan)元測試

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-S1000.1%30V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S2000.1%100V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S3000.1%300V300mV30μV1A100nA10pA
SPA-S100B0.03%30V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S200B0.03%100V300mV30μV3A100nA10pA
SPA-S300B0.03%300V300mV30μV3A100nA10pA

非高壓(ya)脈(mo)沖造成(cheng)的(de)I-V源(yuan)檢測單無

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-P1000.1%30V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P2000.1%100V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P3000.1%300V300mV30μV1A(直流)/10A(脈沖)100nA10pA200μs
SPA-P100B0.03%30V300mV30μV4A(交流電) / 30A(智能)100nA1pA200μs
SPA-P200B0.03%100V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs
SPA-P300B0.03%300V300mV30μV4A(直流) / 30A(脈沖)100nA1pA200μs

直(zhi)流電(dian)I-V源估測(ce)單元尺寸

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率
SPA-E1000.1%1200V100V10mV100mA1μA100pA

高流I-V源(yuan)在線測量單園(yuan)

型號精度最大電壓量程最小電壓量程最小電壓分辨率最大電流量程最小電流量程最小電流分辨率最小脈沖寬度
SPA-HCP1000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP2000.1%50V300mV30μV30A(直流)/30A(脈沖)100nA10pA80μs
SPA-HCP3000.1%100V300mV30μV30A(直流)/100A(脈沖)100nA10pA80μs

電解電容校正單元

型號測試頻率測試點數頻率分辨率頻率輸出精度基本精度內部直流偏置信號可測參數與量程
SPA-C10010Hz-1MHz可編程5 位±0.1%±0.5%10mV to 2V (1mV 分辨率) / 100uA-20mA|Z| , R, X   0.001mΩ-99.999MΩ|Y| , G, B   0.1nS-99.999SCs Cp   0.01pF-9.9999F



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