盛夏已過，初秋開場

8月的較高溫度依然卻遲遲不散過日子也免不好被忙亂的運行封魔

高電壓大電率(6500V/3000A)IGBT試驗難？伴時間推移工作市場需求急、主線任務重、請求高建設項目師們重壓山大...

不如先Fun松Fun松~

Step  1

推送們圈配句“有獎互動問答”，設計所有的人因而，qq截圖存有；

Step  2

掃視正上方二唯碼，上傳照片微信截圖、修改話題正確答案并上交。

參與互動并答對4題以上即可獲得精美絕倫商務禮品一件（只限前20名）！未獲獎的朋友也可免費獲得《IGBT功率器件靜態參數測試白皮書》一份(電子版)，并提供技術水平廠家一副一咨詢了解。解決問題！

搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

因SiC與Si性狀的有差異，SiC MOSFET的閥值電流線工作電壓兼備發飄界定，在功率器件檢驗儀整個過程中閥值電流線工作電壓有 非常明顯漂移，出現其電特點檢驗儀已經高溫度柵偏校正后的電檢驗儀最終結果可怕依靠于于檢驗儀的條件。由此閥值電流線工作電壓的為準檢驗儀，當前耐用性檢驗儀形式有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通內阻 RDSon為影晌電子元器件操作時導通衰減的一關鍵優點數據，其結果會隨 VGS 及及T的變而改進。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保護性才能將直流電壓或 電流大小規定在SOA部位，以防配件傷害或炸管。

測試軟件條件：800V 恒壓 10μA 限流

測量前提條件：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）感應電流判斷用電線路將增長導通的電壓測量的精密度；? SOCKET與PIN相處阻值、測試軟件引線導通阻值。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，直流電壓弧形諧振；? 線路圖等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 常見同軸電覽的等效濾波電容與DUT串連，SMU試驗時上升的或平穩時刻長；? 三同軸線纜等效濾波電容可以說為0。

參與互動獲得精美禮品

積極參與選擇題有機物會才能得到別致高檔禮品一組，還可不花錢才能得到《IGBT電機功率電子器件元件靜態變量因素測評發展報告》一組(電子器件版)，并可以提供技術工藝有關專家一副一了解和咨詢介紹！