前言

        2023年，世界各國半導體電子器件行業行業芯片高新領域告終陸續高增漲，進到更改生長期。與此產生相對，在新能源環衛車類型資源汽車汽車、光伏系統、儲蓄能量等意愿帶起下，再次代半導體電子器件行業行業芯片高新領域始終保持高速路加快發展，世界各國化銷售鏈采集機制已經在產生，寡頭壟斷為主的格局連續明確，高新領域邁入加快孩子成長期。而國內的再次代半導體電子器件行業行業芯片高新領域經過了一著手擴產投放和產線項目建設，國內生產的貨再次代半導體電子器件行業行業芯片食品前不久激發實現目標并確認認可，技術性穩步發展上升，擴產連續減少，國內生產的貨增碳硅(SiC）電子器件及模快著手“上機”，生態環保采集機制越來越健全，自行穩定能力素質連續促進，布局寡頭壟斷知名度不斷上升。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022其一代半導行業技術設備產業鏈成長發展報告》呈現，22年我過其一代半導行業技術設備效率光電器材和徽波通信徽波通信rfrf射頻徽波通信rfrf射頻兩教育領域推動總年產量141.7上億元，較202半年倍增11.7%，產銷量不間斷產生。這里面，SiC產銷量倍增增漲，GaN產銷量倍增超30%，變更進行投資擴產計劃書較202半年同比環比倍增36.7%。同時，時間推移自動車股票銷售市廠中快捷倍增，太陽能光伏、存儲要求拉高，22年我過其一代半導行業技術設備效率光電器材和徽波通信徽波通信rfrf射頻徽波通信rfrf射頻股票銷售市廠中總產值以達到194.2上億元，較202半年倍增34.5%。這里面，效率半導行業技術設備股票銷售市廠中大于105.5上億元，徽波通信徽波通信rfrf射頻徽波通信rfrf射頻股票銷售市廠中約88.6上億元。

        預計在，2025年將是第三方代半導體設備異軍突起的大半年，茶葉市場將尋找同一個“工藝便捷前進、高新產業便捷的增長、空間布局大切牌”的“三國黃金時代”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        與此同時，第三步代寬禁帶光電器件素材的研究方案也推行著LED燈具制造業快速發展的不間斷快速發展，從Mini-LED到Micro-LED，不間斷幫助光電器件燈具制造業快速發展，而是在大瓦數離子束器、紅外光譜殺菌的/監測層面樹立注重要的幫助。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        近年，馬力光電電子元元件元器市面 出顯出結合化和模快化、高效果和高靠普性、多電平技術、新式元器的結構和工藝流程、智慧化和可重新構建等壯大市場需求和壯大路徑。馬力光電電子元元件元器用作應用軟件于嚴格條件下的高馬力密度計算元器，對元器靠普性請求位居于任何光電電子元元件元器的前頭。故而，對元器靶向的效果測量請求、非常符合施用場合的靠普性測量條件還有精確性的就失效剖析措施將有效性的提拔馬力光電電子元元件元器的產品的效果及靠普性行為。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 時間范圍廣，高至300V低至1pA- 面值最小輸入脈沖屏幕寬度匹配200μs- 準確無誤度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺更大3500V讀取功率讀取(可突出10kV)- 精確測量交流電低至1nA- 準確的度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 輸出工作電流達1000A- 多個并接能達到6000A- 50μs-500μs的輸入脈沖長寬比可調式- 脈沖發生器邊沿陡(類型時刻15us)- 雙路搜集估測直流電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 整流/輸入脈沖每種工作電壓工作輸出模型- 大脈沖發生器功率，很高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式制作，1CH/插卡，最低鼓勵10緩沖區

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*部門畫面源頭：發表姿料歸類

*部位材料源于：中國人經濟性時報《隨著我國第三方代光電器件產業群總體經濟走進的成長期》郭錦輝

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