集成電路測試貫穿了從設計、生產到實際應用的全過程,大致分為:
- 裝修設計的概念階段中,的裝修設計的概念檢驗自測- 晶圓制作業分階段的工藝技術監管檢查- 打包封裝前的晶圓測試儀- 裝封后的原料檢測芯片測試應用現狀
芯片測試作為芯片設計、生產、封裝、測試流程中的重要步驟,是使用特定儀器,通過對待測器件DUT(Device Under Test)的檢測,區別缺陷、驗證器件是否符合設計目標、分離器件好壞的過程。其中直流參數測試是檢驗芯片電性能的重要手段之一,常用的測試方法是FIMV(加電流測電壓)及FVMI(加電壓功率測功率)。
傳統與現代的單片機芯片電功效測評必須要 數臺儀容智能儀器完成任務,如線電壓源、直流電源、萬用表等,同時由數臺儀容智能儀器組成了的裝置必須要 分為做好程序編寫、同歩、連入、量測和研究,歷程麻煩又費時,又霸占過少測評臺的個人空間,且動用唯一基本功能的儀容智能儀器和鼓勵源還普遍存在麻煩的能夠 間促發控制,有大的不確立性及比較慢的數據總線數據傳輸運行速度等異常現象,難以足夠有效應測評的消費需求。實施芯片電性能測試的最佳工具之一是數據源表(SMU),數字源表可作為獨立的恒壓源或恒流源、電壓表、電流表和電子負載,支持四象限功能,可提供恒流測壓及恒壓測流功能,可簡化芯片電性能測試方案。
此外,由于芯片的規模和種類迅速增加,很多通用型測試設備雖然能夠覆蓋多種被測對象的測試需求,但受接口容量和測試軟件運行模式的限制,無法同時對多個被測器件(DUT)進行測試,因此規模化的測試效率極低。特別是在生產和老化測試時,往往要求在同一時間內完成對多個DUT的測試,或者在單個DUT上異步或者同步地運行多個測試任務。
基于普賽斯CS系列多通道插卡式數字源表搭建的測試平臺,可進行多路供電及電參數的并行測試,高效、精確地對芯片進行電性能測試和測試數據的自動化處理。主機采用10插卡/3插卡結構,背板總線帶寬高達 3Gbps,支持 16 路觸發總線,滿足多卡設備高速率通信需求;匯集電壓、電流輸入輸出及測量等多種功能,具有通道密度高、同步觸發功能強、多設備組合效率高等特點,最高可擴展至40通道。

圖1:普賽斯CS系類插卡式源表
(10插卡及3插卡,高至40短信通道)
基于數字源表SMU的芯片測試方案
利用普賽斯字母源表去基帶芯片的開燒壞測驗(Open/Short Test)、漏電流測驗(Leakage Test)以其DC參數表測驗(DC Parameters Test)。1、開短路測試(O/S測試)
開串電考試(Open-Short Test,也稱連續式性或接受性考試),中用手機驗證考試模式與功率器件整個引腳的電接受性性,考試的方式是利用對地護理場效應管開始的,考試聯系控制電路方式如圖:
圖2:開擊穿自測錢路連到展示
2、漏電流測試
漏電流公測,又被叫做為Leakage Test,漏電流公測的原因其主要是抽樣檢查顯示Pin腳、高阻程序下的輸入輸出Pin腳的電阻值有無夠高,公測接連電源線路一下一樣:
圖3:漏電流測試儀路線圖接提醒
3、DC參數測試
DC數據值指標的檢驗,通常情況全都是Force瞬時電流值檢驗線電壓值亦或是Force線電壓值檢驗瞬時電流值,關鍵的是檢驗阻抗匹配性。通常情況各種各樣的DC數據值指標就會在Datasheet面標出,檢驗的關鍵的為的是保證基帶芯片的DC數據值指標值合適規定:
圖4:DC參數設置測試圖片的線路進行連接構造

測試案例

公測系統的分配
Case 01 NCP1377B 開短路測試
測試 PIN 腳與 GND 范圍內相通感覺,測試工作中SMU選定 3V示值,加入的-100μA瞬時電流,限壓-3V,檢測直流電阻但是表 1 下圖,直流電阻但是在-1.5~-0.2 范圍內,測試但是 PASS。*各種測試電路銜接符合圖2

圖5:NCP1377B開燒壞測量報告
Case 02 TLP521 光電耦合器直流參數測試
光學合體器一般由兩臺分組名稱成:光的射端及光的閱讀端。光的射端一般由會亮電感產生,電感的管腳為光耦的復制粘貼端。光的閱讀端一般是光敏硫化鋅管, 光敏硫化鋅管是采用 PN 結在加入的反相的方式給回端電壓時,在反射光燈照下反相的方式給回功率電阻由大變小的原理圖來工做的,硫化鋅管的管腳為光耦的輸出電壓端。 事例利用2臺SMU使用考試,兩臺SMU與元器搜索端無線對接,做恒流源動力夜光二級管并檢測搜索端重要性叁數,另兩臺SMU與元器打印內容輸出端無線對接,做恒壓源并檢測打印內容輸出終端的重要性叁數。*測評錢路進行連接按照圖4

圖6:BVECO 測試測試報告統計及弧線

圖7:ICEO測驗的數據及身材曲線

圖8:填寫特征線條

圖9:傷害基本特性身材曲線

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