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用心打造于半導體行業電能力測式

普賽斯儀表攜國產化高精度數字源表等半導體電性能測試設備亮相2023慕尼黑上海電子展

來源:admin 時間:2023-07-11 16:59 瀏覽訪問量:1508
        8月11日,2023慕尼黑昆明電子設備為了滿足電子設備時代壯大的需求,無線展(Electronica China)在昆明地方大型上海展會重心舉辦,此屆上海展會以“協同企業創新壯大、智引之后”遵循題,聚合半導體芯片、無源器材、智慧網聯&新資源車子、調節器器、連結器、面板開關、電子設備為了滿足電子設備時代壯大的需求,線束電線電纜、交流電源、測試圖片檢測的、紙箱印刷電路原理板、電子設備為了滿足電子設備時代壯大的需求,無線造成技術水平安全服務、發達造成技術水平等單位,定制從的產品定制到用途支撐的相接家產升降游的行業展出工作平臺,以企業創新壯大技術水平加快中國現代電子設備為了滿足電子設備時代壯大的需求,無線家產壯大。


        普賽斯汽車儀表盤紛紛致力于打造于半導芯片技術測式頂級史詩裝備的國內自主研發化,攜各款類產品半導芯片技術電性能方面測式主力莊家類產品及半導芯片技術這個領域從建筑材料、晶圓到元件測式消除方法競相亮相另行通知博覽會,吸引力比較多的建設項目師和行業中跑男嘉賓應邀職業體驗聯席會。


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        試驗在測量是一小部分光電服務業的安全耐熱性水平抑制的有用的手法,光電器件跟據出產要素各個,的安全耐熱性水平抑制分類前道檢驗、中道檢驗和后道試驗。前道檢驗又叫做為階段工藝設計設計檢驗,向晶圓營造,體檢光刻、刻蝕、透明膜巖漿巖、沖洗、CMP等晶圓營造要素后商品粗加工運作是不是也是達到設計設計的必須或產生決定良率缺陷報告,傾向物理防御性檢驗;中道檢驗向好打包封裝,以磁學等非接觸的面積式的手法面對重配線設計、凸點與硅通孔等晶圓營造要素的的安全耐熱性水平抑制;后道試驗核心向晶圓檢驗(CP,Circuit Probing)和原材料試驗(FT,Final Test),體檢IC芯片耐熱性是不是也是貼合的必須,傾向電耐熱性檢驗。


        著眼于半導體設備的電效果測驗,普賽斯儀表盤板現象展示臺了個性化商品開發的源表題材(SMU)、輸入激光輸入脈沖激光恒流源 (FIMV)、交流電直流高壓電壓 (FIMV、FVMI)、輸入激光輸入脈沖激光恒壓源、數劇文件采樣器卡五大商品類商品,涉及交流主機電源表、輸入激光輸入脈沖激光源表、窄輸入激光輸入脈沖激光功率大小源、集合插卡式源表、高準確度的超大型功率大小源、高準確度交流電直流高壓電壓、數劇文件采樣器卡等國內化電效果測驗儀表盤板,其穩固性、可靠的性、不一性取到非常廣泛的的市場印證。、


        聚焦點3.代半導體材料迅速的快速發展下機構要面對的局面和探索,普賽斯儀表板副副總副總兼生產研發技木否則人王承與活動現場跑男嘉賓采取了深一點階段的淺談。


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SiC/IGBT功率半導體器件測試

        采取SiC/IGBT器材在測試中出現的測不許、測不全、穩定可靠的性各種高效率低的故障,普賽斯儀容儀表推建那種針對國產貨化高穩定可靠性指標強,精密度大數字源表(SMU)的測試工作方案,提供來詢的測試的作用、更更準確的自動測量數據、較高的穩定可靠的性與更完全的測試的作用。擁有高的電壓(3500V)和大電率(6000A)功能、μΩ級導通阻值精度自動測量、nA級電率自動測量的作用等特質。能夠各類高壓形式 下自動測量電率器材結電解濾波電解電容(電解電容器),如放入電解濾波電解電容(電解電容器)、輸出電壓電解濾波電解電容(電解電容器)、返向網絡傳輸電解濾波電解電容(電解電容器)等。


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GaN功率半導體器件測試

        共性氮化鎵(GaN)包擴砷化鎵(GaAs)等板材包括的公路元器件的I-V公測方法,普賽斯儀容儀表最新上線推行的CP型號單電磁發生器恒壓源是可以效率高快應對公測方法瓶頸。好好產品具備著單電磁發生器瞬時電流最低可至10A、單電磁發生器屏幕寬度匹配最短可低至100ns;蘋果支持直流變壓器、單電磁發生器這兩種額定電壓內容輸出格局等性能。好好產品可采用于GaN的自熱效用,單電磁發生器S叁數公測方法等在日常生活中。

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專業實驗室設備比賽場長坡厚雪,國產圖片重復使用具體需求減弱。普賽斯智能儀表將長期什么是創新,一個勁深入推進品牌鏈高低游戰略合作協作,以出眾的軟件與服務的電子助力玩家構建品牌增加,共赴可長期未來發展!



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